图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:209245 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:3065 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:595000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 FDME820NZT |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 865pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | MicroFet 1.6x1.6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDME820NZT&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
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